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C系列氣相沉積爐
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氣相沉積爐(立式)是用于各種電介質,半導體和金屬材料的保護涂層的沉積的有力方式,無論是單晶,多晶,無定形或外延狀態上或大或小的形態。典型的涂層材料包括熱解碳,碳化硅,氮化硼。通過使用合成前體,涂層非常純凈并目滿足半導體工業的典型要求,根據工藝參數,可以有多種層厚度,從單個或幾個原子層到厚度從10納米到數百微米的固體保護層或功能層,以及厚度達100微米的單片部件,甚至高達數毫米。
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